العربية 
SC-3GA-3
YIM
| الكمية: | |
|---|---|
الخلايا الشمسية GaAs ثلاثية الوصلات
تتكون الخلية الشمسية GaAs ذات الوصلات الثلاثية من خلية سفلية من الجرمانيوم (Ge) ، وخلية وسطية من زرنيخ الإنديوم (InGaAs) وخلية علوية غاليوم إنديوم فوسفور (GaInP2) متصلة في سلسلة ، مع بنية خلية n / p.
تبلغ كفاءة التحويل الكهروضوئي النموذجية 30٪ والأبعاد النموذجية 80.0 مم × 40.0 مم × 0.155 مم.
غطاء زجاجي
زجاج الغطاء مصنوع من زجاج غطاء مقاوم للإشعاع مع طلاء بخار فيلم MgF2 على السطح ، ولا يتجاوز عرض عيب حافة فيلم MgF2 بسبب الأدوات 0.5 مم والمساحة الإجمالية للعيب لا تتجاوز 5٪ من المساحة الإجمالية لغطاء الزجاج.
الأبعاد النموذجية للزجاج هي 80.15 ملم × 40.15 ملم × 0.12 ملم.
الثنائيات الالتفافية
تستخدم الثنائيات الالتفافية ثنائيات السيليكون.
في حالة عدم وجود ضوء ومع تيار دائرة قصر مطبق يبلغ 1.2Isc ، يكون جهد الحالة في الصمام الثنائي للسيليكون أقل من 1.0 فولت.
في حالة عدم وجود ضوء وبجهد عكسي -4V مطبق ، يكون تيار التسرب العكسي لديود السيليكون أقل من 10μA
الأبعاد النموذجية هي 10.0 مم × 10.0 مم × 0.17 مم
ربط القطع
القطع المترابطة مطلية بالفضة مع طبقة خارجية من الفضة بسمك 30μm ± 5μm ، والتي لا تقل نقاوة الفضة منها عن 99.95٪.
القطعة المترابطة لها حلقة تخفيف الضغط وهي سليمة وغير تالفة
تم اختبار حلقات تخفيف إجهاد القطعة المترابطة للتعب بدون كسر.
البعد النموذجي هو 8.0 مم × 6.5 مم × 0.03 مم.
الخلايا الشمسية GaAs ثلاثية الوصلات
تتكون الخلية الشمسية GaAs ذات الوصلات الثلاثية من خلية سفلية من الجرمانيوم (Ge) ، وخلية وسطية من زرنيخ الإنديوم (InGaAs) وخلية علوية غاليوم إنديوم فوسفور (GaInP2) متصلة في سلسلة ، مع بنية خلية n / p.
تبلغ كفاءة التحويل الكهروضوئي النموذجية 30٪ والأبعاد النموذجية 80.0 مم × 40.0 مم × 0.155 مم.
غطاء زجاجي
زجاج الغطاء مصنوع من زجاج غطاء مقاوم للإشعاع مع طلاء بخار فيلم MgF2 على السطح ، ولا يتجاوز عرض عيب حافة فيلم MgF2 بسبب الأدوات 0.5 مم والمساحة الإجمالية للعيب لا تتجاوز 5٪ من المساحة الإجمالية لغطاء الزجاج.
الأبعاد النموذجية للزجاج هي 80.15 ملم × 40.15 ملم × 0.12 ملم.
الثنائيات الالتفافية
تستخدم الثنائيات الالتفافية ثنائيات السيليكون.
في حالة عدم وجود ضوء ومع تيار دائرة قصر مطبق يبلغ 1.2Isc ، يكون جهد الحالة في الصمام الثنائي للسيليكون أقل من 1.0 فولت.
في حالة عدم وجود ضوء وبجهد عكسي -4V مطبق ، يكون تيار التسرب العكسي لديود السيليكون أقل من 10μA
الأبعاد النموذجية هي 10.0 مم × 10.0 مم × 0.17 مم
ربط القطع
القطع المترابطة مطلية بالفضة مع طبقة خارجية من الفضة بسمك 30μm ± 5μm ، والتي لا تقل نقاوة الفضة منها عن 99.95٪.
القطعة المترابطة لها حلقة تخفيف الضغط وهي سليمة وغير تالفة
تم اختبار حلقات تخفيف إجهاد القطعة المترابطة للتعب بدون كسر.
البعد النموذجي هو 8.0 مم × 6.5 مم × 0.03 مم.
